可控硅与放电管(可控硅与放电管的关系)

1、电容直接放电和加可控硅放电的区别在于控制方式和放电特点1控制方式电容直接放电是通过直接放电电路来完成的，不需要控制器件，只需要一个开关就可以完成放电过程而加可控硅放电则需要使用可控硅等器件来控制电容的充放电过程，需要一个专门的控制电路2放电特点电容直接放电的过程简单，放电时间。

2、晶闸管又叫可控硅Silicon Controlled Rectifier， SCR自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管双向晶闸管光控晶闸管逆导晶闸管可关断晶闸管快速晶闸管，等等今天大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电。

3、江苏东光微电子股份有限公司的业务板块主要包括节能型电力电子器件通讯防护半导体器件过电压过电流保护集成电路家用电器控制可控硅产品节能灯电子整流器用产品以及集成电路设计等在防护器件业务方面，公司凭借80%的国内通讯领域固体放电管市场占有率，成为该领域的领导者，2009年防护器件收入占比高达32。

4、主要产品节能型电力电子器件VDMOS通讯防护用半导体器件2SA230J半导体放电管TPA半导体放电管过电压过电流保护集成电路CSC家用电器控制用可控硅系列产品节能灯及电子整流器用1300X系列产品LCP180S集成电路DP3100系列快恢复二极管系列公司经过多年的拼搏发展，现已形成年产“宜字”牌各类防护。

5、有两种可能的原因，一是接线端子连接松动引起的虚接放电，时间长了会发热烧毁端子二是端子之间绝缘不良或者过电压引起的击穿放电，这种情况除了做好绝缘，还要分析产生高压脉冲的原因，并针对性的予以消除。

6、点焊机的放电可控硅坏了可能有以下结果1可控硅断路，焊接时变压器没有电流输出，2可控硅直通，电极闭合时变压器会输出很大电流将工件烧穿，3可控硅单硅导通，焊接电流比正常时小，但输入电流成倍增加，空开容易跳闸。

7、作更快聚合物自复保险丝与可承载过压装置联合使用通常应用于通 讯领域对于许多故障事件，可控硅气体放电管或二极管等可承载 过压装置能够提供保护聚合物自复保险丝在某些故障事件中可以保 护这些过压保护装置，当然聚合物自复保险丝还可以提供过流保护 聚合物自复保险丝动作时要膨胀，自复时是否会回到原来的。

8、用作这类浪涌保护器的常见器件有效放电间隙，气体放电管，晶闸管和三端双向可控硅元件等二电压限制型浪涌保护器电压限制型浪涌保护器在无浪涌时呈现高阻抗，但随浪涌电流和电压的增加其阻抗会不断减小这类保护器在通过浪涌电流时会呈现一定的电压，称为残压或钳位电压用作这类浪涌保护器的常见器件有金属氧化物。

9、该双向触发二极管通常使用DB3，加DB3的作用，不是因为保护栅极，而是为了提高触发能量该双向二极管可以去掉，去掉后，电容充放电可以触发可控硅，只是触发能力很差，在很低的充电电压和电流下导通，可控硅处于欠触发状态，触发的过程中会导致可控硅压降过大发热大等问题如可控硅选择很小的IGT档位使。

10、遇到可控硅短路的问题，解决办法如下1更换新的开关管2将坏掉的管子用万用表电阻档测试是否有短路或开路的现象3检查整流桥电路有无短路或断路现象4检查控制板上的保护二极管和保险丝是否烧断5测量输出端直流工作电压是否正常6测量负载电流是否正常7测得输出端直流工作电压不正常时。

11、原理当电路接通交流市电后，交流市电便通过负载电阻R1电位器RP 电阻R2 向电容器C充电只要电容器C上的充电电压高于双向触发二极管的转折电压电容器C 便通过限流电阻R1以及双向触发二假管VD1向双向可控硅VS的控制极放电触发可控硅VS 导通改变电位器RP的阻值便可改变向C充电的速度也就改变了。

12、单结晶体管也叫做双基极二极管，两个基极一个连接电源一个接地通过电阻具有一定分压比当电容充电到一定程度通过发射结放电形成触发可控硅的电压。

13、因为电路总是存在电感的变压器漏感或负载电感，所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止RLC电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏可控硅同时，避免电容器通过可控硅放电电流过大，造成过电流而损坏可控硅 由于可控硅过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常。

14、IGBT 管的好坏可用指针万用表的 Rxlk 挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量 PN 结正向压降进行判断检测前先将 IGBT 管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度然后用指针万用表的两枝表笔正反测 G e 两极及 G c 两极的电阻，对于正常的 IGBT 管正常 G e 两极与 G。

15、陶瓷气体放电管 防雷器件中应用最广泛的是陶瓷气体放电管，无论是直流电源的防雷还是各种信号的防雷，陶瓷气体放电管都能起到很好的防护作用其最大的特点是通流量大，级间电容小，绝缘电阻高，击穿电压可选范围大半导体放电管 半导体放电管是一种过压保护器件，是利用晶闸管原理制成的，依靠PN结的击穿。

16、电容在电路中一般用“C”加数字表示如C223表示编号为223的电容电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件电容的特性主要是隔直流通交流电阻在电路中用“R”加数字表示，如R13表示编号为13的电阻电阻在电路中的主要作用为分流限流分压偏置滤波与电容器组合。

17、BTB04属于双向可控硅，额定正向平均电流为4A，这样在市电220V电压下，允许控制电器的最大功率为1KW，实际应用中，最好不要超出800W相同型号规格的可控硅并联，可以增大输出电流，但是由于元件的离散性，并联元件的正向特性并不完全一样，会造成电流分配的严重不均匀，应该采取相应的均流措施1电源主。

18、而对可控硅电路，1可控硅截止时，则电流从整流器的1脚流出，经过电阻R1电容C1，而回到4脚，作用是给电容充电，电容电压会升高，到达某一个值时触发可控硅导通2可控硅导通时，其两端近似于短路，那么电容就会通过电阻R1可控硅D1放电3当交流电压过零点时，可控硅截止。